Infineon разработала силовые чипы из карбида кремния на 300-мм пластинах: выход продукции может вырасти в 2,3 раза

Немецкая компания Infineon Technologies сообщила об успешном производстве работающих силовых полупроводников на основе карбида кремния (SiC) с использованием 300-мм пластин. Испытания прошли на предприятии в австрийском Филлахе. Это первый подобный результат, достигнутый в условиях полноценного промышленного производства.

Переход с 200-мм на 300-мм пластины может существенно увеличить выпуск силовых микросхем. По оценке компании, с одной пластины нового формата можно получить в 2,3 раза больше чипов. При этом Infineon использовала уже имеющееся оборудование для обработки кремниевых полупроводников, что потенциально упрощает внедрение технологии.

Меньше отходов при производстве пластин

Параллельно компания испытала технологию Cold Split на предприятии в Дрездене (Германия). Она позволяет отделять пластины от крупных кристаллов карбида кремния быстрее, чем традиционная резка проволокой.

По данным Infineon, метод сокращает потери материала и позволяет получать больше пластин из одного кристалла. Кроме того, технология требует меньших капитальных затрат по сравнению с классическим способом производства.

Таким образом, испытания охватили два этапа: получение 300-мм пластин и их последующую обработку для создания работающих силовых компонентов.

Применение в электромобилях и энергетике

Карбид кремния позволяет создавать силовую электронику с меньшими потерями энергии, высокой термостойкостью и способностью работать под высоким напряжением.

Такие полупроводники востребованы в нескольких направлениях:

• Электромобили — тяговые инверторы и бортовые зарядные устройства.

• Зарядная инфраструктура — внешние станции быстрой зарядки.

• Возобновляемая энергетика — системы накопления и преобразования электроэнергии.

• Промышленность — электроприводы и источники бесперебойного питания.

• ЦОД и ИИ — блоки питания, твердотельные трансформаторы и автоматические выключатели.

Infineon планирует продолжить работу над технологией совместно с партнерами и потенциальными заказчиками. Сроки перехода к массовому производству пока не определены. Компания также намерена развивать существующие производственные мощности для выпуска 200-мм SiC-пластин.

Отдельно стоит отметить, что карбид кремния стал вторым широкозонным полупроводниковым материалом в планах Infineon по развитию производства 300-мм пластин. Первым направлением стал нитрид галлия (GaN): ранее компания объявила об инвестициях около €1,1 млрд в расширение его промышленного производства в Филлахе.