Infineon розробила силові чипи з карбіду кремнію на 300-мм пластинах: обсяг виробництва може зрости у 2,3 раза

Німецька компанія Infineon Technologies повідомила про успішне виробництво силових напівпровідників на основі карбіду кремнію (SiC) із використанням 300-мм пластин. Випробування пройшли на підприємстві у Філлаху (Австрія). Це перший подібний результат, досягнутий в умовах повноцінного промислового виробництва.

Перехід із 200-мм на 300-мм пластини може суттєво збільшити випуск силових мікросхем. За оцінкою компанії, з однієї пластини нового формату можна отримати у 2,3 раза більше чипів. При цьому Infineon використовувала наявне обладнання для обробки кремнієвих напівпровідників, що потенційно спрощує впровадження технології.

Менше відходів під час виробництва пластин

Паралельно компанія випробувала технологію Cold Split на підприємстві в Дрездені (Німеччина). Вона дає змогу відокремлювати пластини від великих кристалів карбіду кремнію швидше, ніж за традиційного різання дротом.

За даними Infineon, цей метод скорочує втрати матеріалу та дозволяє отримувати більше пластин з одного кристала. Крім того, технологія потребує менших капітальних витрат порівняно з класичним способом виробництва.

Таким чином, випробування охопили два етапи: отримання 300-мм пластин та їх подальшу обробку для створення функціональних силових компонентів.

Застосування в електромобілях та енергетиці

Карбід кремнію дає змогу створювати силову електроніку з меншими втратами енергії, високою термостійкістю та здатністю працювати під високою напругою.

Такі напівпровідники затребувані в кількох напрямках:

• Електромобілі — тягові інвертори та бортові зарядні пристрої.

• Зарядна інфраструктура — зовнішні станції швидкого заряджання.

• Відновлювана енергетика — системи накопичення та перетворення електроенергії.

• Промисловість — електроприводи та джерела безперебійного живлення.

• ЦОД та ШІ — блоки живлення, твердотільні трансформатори й автоматичні вимикачі.

Infineon планує продовжити роботу над технологією спільно з партнерами та потенційними замовниками. Терміни переходу до масового виробництва поки не визначені. Компанія також має намір розвивати наявні виробничі потужності для випуску 200-мм SiC-пластин.

Варто зазначити, що карбід кремнію став другим широкозонним напівпровідниковим матеріалом у планах Infineon щодо розвитку виробництва 300-мм пластин. Першим напрямком став нітрид галію (GaN): раніше компанія оголосила про інвестиції близько €1,1 млрд у розширення його промислового виробництва у Філлаху.